Немного изменил стек в соответствии с предоставленной информацией.
1. Если отказаться от скрытых переходов 2-3, 6-7, а заодно и от 4-5, упростит ли это производство платы?
2. Возможно ли при таком стеке получить проводник/зазор 0,1/0,1 в слоях 1, 3, 6, 8?
3. Размер платы около 100х125мм при толщине 2мм, конструкция стека симметричная, есть ли при таких размерах опасность коробления?4. Ядра и препреги с низкой диэлектрической проницаемостью, такие как FR4 TU-872 SLK и 1080 RC64, относятся к высокотемпературным Tg170? Можно ли их совмещать в одном стеке с обычным ядром FR4 Tg170?
5. Если использовать HDI то нужно будет отказаться от масочных мостиков при шаге 0.4мм, я правильно понимаю? Боюсь что будут проблемы при монтаже LQFP-128 с таким шагом.
6. По расчётам, если я не ошибся, в таком стеке минимальное глухое отверстие через слои 1-3 получается 0,45мм, через слои 1-2 - 0,25мм, свёрла таких диаметров доступны или нужно округлять в большую сторону?
1. Если отказаться от скрытых переходов 2-3, 6-7, а заодно и от 4-5, упростит ли это производство платы?
2. Возможно ли при таком стеке получить проводник/зазор 0,1/0,1 в слоях 1, 3, 6, 8?
3. Размер платы около 100х125мм при толщине 2мм, конструкция стека симметричная, есть ли при таких размерах опасность коробления?4. Ядра и препреги с низкой диэлектрической проницаемостью, такие как FR4 TU-872 SLK и 1080 RC64, относятся к высокотемпературным Tg170? Можно ли их совмещать в одном стеке с обычным ядром FR4 Tg170?
5. Если использовать HDI то нужно будет отказаться от масочных мостиков при шаге 0.4мм, я правильно понимаю? Боюсь что будут проблемы при монтаже LQFP-128 с таким шагом.
6. По расчётам, если я не ошибся, в таком стеке минимальное глухое отверстие через слои 1-3 получается 0,45мм, через слои 1-2 - 0,25мм, свёрла таких диаметров доступны или нужно округлять в большую сторону?