Печатные платы с контролем волнового сопротивления
Гальваническое (электрохимическое) осаждение меди
Современные стандарты задают следующие параметры толщины гальванической меди в отверстиях:
Класс 2 - 20 микрон
Класс 3 - 25 микрон
Простые калькуляторы не учитывают толщину гальванически осажденной меди на поверхность проводников. Условия осаждения на поверхность проще, поэтому на них высаживается большая толщина.
Класс 2 - 20 микрон
Класс 3 - 25 микрон
Простые калькуляторы не учитывают толщину гальванически осажденной меди на поверхность проводников. Условия осаждения на поверхность проще, поэтому на них высаживается большая толщина.
По ГОСТ Р 55693-2013 и IPC-6012 средняя толщина металлизации должна быть:
Класс 2 - 20мкм
Класс 3
- 25мкм